STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD11N60M6

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梱包形態
RS品番:
212-2105
メーカー型番:
STD11N60M6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

STD11N60M6

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

500mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10.3nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

90W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

6.2 mm

高さ

2.4mm

長さ

6.6mm

自動車規格

なし

MDmesh M6 MOSFET N-CH


STMicroelectronics MDmesh M6 テクノロジーには、 SJ MOSFET のウェルノウン及び統合された MDmesh ファミリに対する最新の進歩が組み込まれています。この製品は、新しい M6 テクノロジーによって前世代の MDmesh デバイスを基盤としています。このテクノロジーは、エリアごとに優れた RDS （ on ）を向上させ、最も効果的なスイッチング動作の 1 つと、エンドアプリケーションの効率を最大限に高める使いやすい体験を提供します。

スイッチング損失の低減

前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります

低ゲート入力抵抗

アバランシェ100 %テスト済み

ツェナー保護

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