STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD9N60M6

RS品番:: 225-0672
メーカー型番:: STD9N60M6
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD9N60M6

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RS品番:: 225-0672
メーカー型番:: STD9N60M6
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	750mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	10nC
	最大許容損失Pd	76W
	最大ゲートソース電圧Vgs	25 V
	順方向電圧 Vf	1.6V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 750mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC
	最大許容損失Pd 76W
	最大ゲートソース電圧Vgs 25 V
	順方向電圧 Vf 1.6V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

STMicroelectronicsの新しいMDmesh M6 テクノロジーは、よく知られたMDmeshファミリーのSJ MOSFETに最新の進歩を取り入れています。STMicroelectronicsは、前世代のMDmeshデバイスをベースに、単位面積当たりの優れたRDS（on）改善と最も効率的なスイッチング動作の1つを組み合わせた新しいM6テクノロジーを採用し、最終使用効率を最大限に高めるユーザーフレンドリーな体験を実現しています。

スイッチング損失の低減

単位面積あたりのRDS(on)を前世代より低減

低ゲート入力抵抗

100 %アバランシェテスト済み

ツェナプロテクト