型番

1 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 46.2 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMTH4008LPDW-13 パッケージPowerDI5060

RS品番:: 213-9246
メーカー型番:: DMTH4008LPDW-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

1 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 46.2 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMTH4008LPDW-13 パッケージPowerDI5060

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RS品番:: 213-9246
メーカー型番:: DMTH4008LPDW-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	46.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	DMTH4008LPDW
	パッケージ型式	PowerDI5060
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.0123Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	0.9V
	最大許容損失Pd	39.4W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	5.8nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	トランジスタ構成	デュアル
	幅	6.4 mm
	規格 / 承認	J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202
	高さ	1.1mm
	長さ	5.15mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	自動車規格	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 46.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ DMTH4008LPDW
	パッケージ型式 PowerDI5060
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0123Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 0.9V
	最大許容損失Pd 39.4W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.8nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	トランジスタ構成デュアル
	幅 6.4 mm
	規格 / 承認 J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202
	高さ 1.1mm
	長さ 5.15mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	自動車規格 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

DiodesZetex DMTH4008LPDW シリーズは、オン状態の抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を維持するように設計されたデュアル N チャンネル MOSFET です。高効率のパワー管理用途に最適です。

低入力静電容量

高速スイッチング速度

低入力静電容量

高速スイッチング速度

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1 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 46.2 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMTH4008LPDW-13 パッケージPowerDI5060

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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