2 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMT69M9LPDW-13 パッケージPowerDI5060-8

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梱包形態
RS品番:
246-7559
メーカー型番:
DMT69M9LPDW-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerDI5060-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0168Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

2.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはTO252パッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。100％非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。動作温度範囲は-55 ℃→ +150 °Cです。

最大ドレインソース間電圧: 60 V 最大ゲートソース間電圧: ±16 V 低オン抵抗と高速スイッチングを実現 光学検査向けの拭き取り可能なフランクを備える 熱効率の高いパッケージにより、低温動作用途に最適

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