Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 195 A, 2 mΩ, 55 nC, 8ピン, パッケージ:SuperSO

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RS品番:
214-4318
メーカー型番:
BSC014N04LSIATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

195A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SuperSO

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2mΩ

最大許容損失Pd

96W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

55nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

700mV

動作温度 Max

150°C

長さ

5.35mm

高さ

1.2mm

幅

6.1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

インフィニオンOptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 40V、最大連続ドレイン電流 195A - BSC014N04LSIATMA1


このMOSFETは、低導通損失と高い耐熱性が求められる表面実装電力用途向けに設計された大電流スイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、中程度のドレイン-ソース間電圧で効率的なNチャンネルスイッチングを必要とする過酷な電子機器環境に適しています。

特長:


• 2mΩ の超低Rds(on)により、大電流時の導通損失を低減
• 最大連続ドレイン電流 195A により、高負荷に対応
• 最大許容電力 96W により、持続的な電力処理が可能
• 最大ドレイン-ソース間電圧 40V により、中電圧システムで使用可能
• 標準ゲート電荷 55nC により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 最大ゲート-ソース間電圧 20V により、過剰駆動からゲートを保護

用途


• 配電システムのDC-DCコンバータに適合
• 高い連続電流を必要とするモータードライブ段に最適
• 低導通損失が求められるバッテリ管理モジュールに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• プリント基板上の大電流ロードスイッチングに適合

動作中に許容できる温度範囲の上限と下限はどのくらいですか?


-55°C~150°C で動作するよう規定されており、デバイスの定格範囲を超えるディレーティングを必要とせず、低温環境と高温環境の両方で使用できます。

パッケージはプリント基板の組立と冷却にどのように対応していますか?


このデバイスは実装高さを最小限に抑えたSuperSO 8ピン表面実装パッケージで提供され、小型のプリント基板レイアウトと、プリント基板を介した効率的な伝導冷却経路を実現します。

どのようなタイプの導通チャンネルを使用し、スイッチングにどのような影響がありますか?


Nチャンネルトポロジを採用しており、低オン抵抗による効率的な導通と、一般的なドライバ回路に適した標準的なゲート駆動極性を実現します。

導通時にはどのような順方向電圧特性が得られますか?


規定条件下での順方向電圧は標準 0.7V で、システム設計における全体的な電力損失の計算に反映されます。

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