Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 98 A, 4.4 mΩ, 25 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO
- RS品番:
- 215-2455
- メーカー型番:
- BSC032N04LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2455
- メーカー型番:
- BSC032N04LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 98A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SuperSO | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25nC | |
| 最大許容損失Pd | 52W | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 98A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SuperSO | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC | ||
最大許容損失Pd 52W | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンOptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 40V、最大連続ドレイン電流 98A - BSC032N04LSATMA1
このMOSFETは、過酷な電子システムにおける表面実装電力スイッチングおよび電力変換用に設計された大電流Nチャンネルトランジスタです。幅広い周囲温度範囲で動作し、小型のSuperSOパッケージで低導通損失と大きな連続電流処理能力が求められる用途に適しています。
特長：
• 4.4mΩ の超低オン抵抗により、導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 98A により、大電流負荷に対応
• 中電圧の電力段向けの 40V ドレイン–ソース間定格電圧。
• 最大許容電力 52W により、熱設計の余裕を確保
• 標準ゲート電荷 25nC により、効率的なゲート駆動が可能
• -55°C～175°C で動作し、広い使用温度範囲
• 連続ドレイン電流 98A により、大電流負荷に対応
• 中電圧の電力段向けの 40V ドレイン–ソース間定格電圧。
• 最大許容電力 52W により、熱設計の余裕を確保
• 標準ゲート電荷 25nC により、効率的なゲート駆動が可能
• -55°C～175°C で動作し、広い使用温度範囲
用途
• 電源の大電流DC-DCコンバータに適合
• 電力管理における同期整流に最適
• 表面実装部品を必要とするモータードライブ段に使用
• 通信機器およびサーバーの配電に使用可能
• 低Vfスイッチングが必要なバッテリ駆動システムに適合
• 電力管理における同期整流に最適
• 表面実装部品を必要とするモータードライブ段に使用
• 通信機器およびサーバーの配電に使用可能
• 低Vfスイッチングが必要なバッテリ駆動システムに適合
効率的なスイッチングには、ゲート駆動についてどのような考慮が必要ですか？
駆動回路は、25nC のゲートを高速に充電できる十分なピーク電流を供給するとともに、スイッチングのスルーレートを制御してスイッチング損失とEMIのバランスを取る必要があります。
プリント基板上の熱管理にはどのように取り組むべきですか？
SuperSOフットプリントの下に多層銅プレーンとサーマルビアを配置して 52W の損失を拡散し、ジャンクション-基板間の熱抵抗を低減してください。
過渡時にデバイスが耐える必要がある電気的ストレスは何ですか？
このデバイスの定常状態のVds定格は 40V です。
このレベルを超える電圧オーバーシュートを抑えるため、スナバや過渡電圧抑制などの過渡保護を適用する必要があります。
導通損失を最小限に抑えるための具体的なレイアウト手法はありますか？
4.4mΩ の低オン抵抗の利点を生かすため、ドレインとソースの接続には幅が広く短い銅配線を使用し、デバイスとゲート駆動回路間のループインダクタンスを最小限に抑えてください。
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