Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 1.5 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSOT-363, BSD214SNH6327XTSA1
- RS品番:
- 214-4333
- メーカー型番:
- BSD214SNH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 1600 - 1800 | ¥18.20 | ¥3,640 |
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- RS品番:
- 214-4333
- メーカー型番:
- BSD214SNH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | OptiMOS 2 | |
| パッケージ型式 | SOT-363 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 250mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| 最大許容損失Pd | 0.5W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.35 mm | |
| 長さ | 2.02mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ OptiMOS 2 | ||
パッケージ型式 SOT-363 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 250mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.8nC | ||
最大許容損失Pd 0.5W | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.35 mm | ||
長さ 2.02mm | ||
高さ 1mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS ™ 2 小信号トランジスタは、 AEC Q101 に準拠して認定されています。
N チャンネル
強化モード
スーパーロジックレベル(定格: 2.5 V )
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