Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -20 V, 1.50 A, 4.20 mΩ, 80 nC, 6ピン, パッケージ:SOT-363

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250-0562
メーカー型番:
BSV236SPH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-20V

シリーズ

BSV

パッケージ型式

SOT-363

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon BSVシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧20V、最大連続ドレイン電流1.50A - BSV236SPH6327XTSA1


このPチャンネルMOSFETは、コンパクトアセンブリのスイッチングおよびアナログ機能向けに設計された表面実装型トランジスタです。-55°C~+150°Cの幅広い温度範囲で動作し、低導通損失と低い連続電流処理を必要とする用途に適しています。このデバイスは、エンハンスメントモードPチャンネルを使用し、密集型基板レイアウト用の小型SOT-363パッケージで提供されています。

特長および利点:


• 低Rds(on) 4.20mΩにより、導通損失を低減し、効率を向上
• 20Vゲート許容差により、中電圧Pチャンネルスイッチングをサポート
• 1.50Aの連続電流容量により、安定した低電流負荷を実現
• 81Wの消費電力により、短時間の高出力処理が可能
• 80nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチングエネルギー制御を実現

用途


• 高温自動車用電源配線に最適
• コンパクトなプリント基板の表面実装負荷スイッチングに最適
• バッテリ管理システムのゲートドライバーと併用
• 極性保護および逆電流制御に使用可能

コンパクトアセンブリにはどのようなパッケージタイプが期待されますか?


スペースに制約のある表面実装設計に適したSOT-363パッケージで提供されます。

ゲート電圧制限は、インターフェースの選択にどのように影響しますか?


ゲートソース間電圧は20Vを超えてはならないため、ドライバ回路はVgsをこの範囲内に保つ必要があります。

自動車用途での使用をサポートする認証はどのようなものですか?


自動車グレードの半導体認定に関するAEC‐Q101規格に準拠しています。

過酷な環境でも対応できる熱範囲は?


定格周囲動作範囲は-55°C~+150°Cで、極端な温度条件に対応します。

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