Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 300 A, 1.5 mΩ, 166 nC, 8ピン, パッケージ：HSOF
- RS品番:
- 214-4347
- メーカー型番:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-4347
- メーカー型番:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 300A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | HSOF | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 166nC | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 300A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 HSOF | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 166nC | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンOptiMOS 5シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 100V、最大連続ドレイン電流 300A - IAUT300N10S5N015ATMA1
このMOSFETは、過酷なスイッチングおよび電力変換用途向けに設計された高出力N‑チャンネルエンハンスメント型デバイスです。過酷な条件に適した幅広い温度範囲で動作し、業界標準のHSOFフットプリントで表面実装用にパッケージ化されており、順方向電圧降下が小さいため大電流回路で効率的な導通を実現します。
特長：
• ドレイン電圧 100V により、高電圧スイッチングが可能
• 1.5mΩ の低Rds(on)により、大電流時の導通損失を低減
• 連続電流 300A により、高負荷用途に対応
• 最大許容電力 375W により、継続的な熱負荷に対応
• ゲート電荷 166nC により、スイッチング速度と駆動要件のバランスを確保
• 順方向電圧 1.3V により、負荷時の電圧降下を抑制
• 1.5mΩ の低Rds(on)により、大電流時の導通損失を低減
• 連続電流 300A により、高負荷用途に対応
• 最大許容電力 375W により、継続的な熱負荷に対応
• ゲート電荷 166nC により、スイッチング速度と駆動要件のバランスを確保
• 順方向電圧 1.3V により、負荷時の電圧降下を抑制
用途
• 大電流の電力コンバータおよびインバータに適合
• パワーエレクトロニクスのトラクションおよびモータードライブ段に最適
• 産業用システムの高性能DC-DCコンバーターに使用
• 半導体式配電モジュールに使用可能
• サーバー電源の高速スイッチング段に適合
• パワーエレクトロニクスのトラクションおよびモータードライブ段に最適
• 産業用システムの高性能DC-DCコンバーターに使用
• 半導体式配電モジュールに使用可能
• サーバー電源の高速スイッチング段に適合
効率的なスイッチングには、どの程度のゲート駆動能力が必要ですか？
目標とするスイッチング時間内に 166nC を充電できる十分なソース電流とシンク電流を備えたゲートドライバが必要です。
駆動が遅いとスイッチング損失が増加します。
このデバイスは高いジャンクション温度にどのように対応しますか？
-55°C～175°C で動作する定格で、適切な熱管理を行えば高温環境で使用できます。
熱性能を確保するうえで重要な実装上の考慮事項は何ですか？
表面実装HSOFで高負荷時に最大 375W の電力を放散するには、適切に設計されたプリント基板のサーマルランドとヒートシンク対策が必要です。
チャンネル構成は回路設計にどのような影響を与えますか？
N‑チャンネルエンハンスメント型デバイスであるため、ゲート基準電位がソース電位に近いローサイドスイッチングや同期整流構成に適しています。
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