Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 300 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージHSOF, IPT015N10N5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
171-1991
メーカー型番:
IPT015N10N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

300A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

IPT015N10N5

パッケージ型式

HSOF

取付タイプ

表面

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

169nC

順方向電圧 Vf

0.9V

最大許容損失Pd

375W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.4mm

長さ

10.1mm

規格 / 承認

No

幅

10.58 mm

自動車規格

なし

Infineon


Infineon HSOF-8 表面実装 N チャンネル MOSFET は、 10 V のゲートソース電圧で 1.5 mhm のドレインソース抵抗を実現する新製品です。MOSFET の連続ドレイン電流は 300 A です。最大ゲートソース電圧は 20 V 、ドレインソース電圧は 100 V です。最大消費電力は 375 W です。 MOSFET の最小駆動電圧は 6 V 、最大駆動電圧は 10 V です。スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•アバランシェ 100% テスト済み

•優れたゲート電荷量 x RDS （ on ）製品（ FOM ）

• ハロゲンフリー

•最高のシステム効率

•高スイッチング周波数に最適

•電力密度の向上

•鉛（ Pb ）フリーめっき

•低電圧オーバーシュート

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C

•同期整流に最適

•出力容量を最大 44% 削減

• RDS （ on ）を最大 44% 削減

•超低抵抗 RDS （ on ）

用途


•アダプタ

•電気自動車の照明

•低電圧ドライブ

•サーバ電源

• 太陽光発電

• 通信機器

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC

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