Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 26 A, 120 mΩ, 36 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 214-4367
- メーカー型番:
- IPB60R120P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール1000個入り) 小計：*
￥324,983
(税抜)
￥357,481
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年4月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ￥324.983 | ￥324,983 |
| 2000 - 9000 | ￥323.515 | ￥323,515 |
| 10000 - 14000 | ￥318.774 | ￥318,774 |
| 15000 - 19000 | ￥314.036 | ￥314,036 |
| 20000 + | ￥309.271 | ￥309,271 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 214-4367
- メーカー型番:
- IPB60R120P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 26A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | 600V CoolMOS P7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 120mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 95W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.02mm | |
| 幅 | 9.27mm | |
| 高さ | 4.5mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 26A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ 600V CoolMOS P7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 120mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 95W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.02mm | ||
幅 9.27mm | ||
高さ 4.5mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン 600V CoolMOS P7 シリーズ MOSFET、ドレインソース電圧 600V、連続ドレイン電流 26A - IPB60R120P7ATMA1
この MOSFET は、要求の厳しい温度環境でのスイッチングおよび電力変換向けに設計された高電圧 N チャンネルエンハンスメントモードデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、高電圧ブロッキングと大きな連続電流能力が求められる電力電子回路の表面実装用に設計されています。
特長：
• 600V のドレイン電圧により、高電圧システム設計に対応
• 連続電流 26A により、堅牢な負荷電流に対応
• 120mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 36nC 標準値のゲート電荷により、予測可能なドライブ回路のサイズ選定が可能
• 95W の最大許容電力により高い電力スループットをサポート
• 同期回路で 0.9V の順方向電圧制限ダイオードドロップ
• 連続電流 26A により、堅牢な負荷電流に対応
• 120mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 36nC 標準値のゲート電荷により、予測可能なドライブ回路のサイズ選定が可能
• 95W の最大許容電力により高い電力スループットをサポート
• 同期回路で 0.9V の順方向電圧制限ダイオードドロップ
用途
• オフラインスイッチモード電源に最適
• 共振コンバータおよびハードスイッチングコンバータに最適
• 高電圧モータ駆動のフロントエンドに使用
• 産業機器の補助電源レールに使用可能
• 高温電子機器キャビネットに最適
• 共振コンバータおよびハードスイッチングコンバータに最適
• 高電圧モータ駆動のフロントエンドに使用
• 産業機器の補助電源レールに使用可能
• 高温電子機器キャビネットに最適
基盤実装にはどのようなパッケージタイプを使用しますか?
表面実装に対応した TO-263 パッケージで供給され、PCBのランドパターンへの熱伝導を容易にします。
このデバイスは、動作時の極端な温度にどのように耐えられますか？
-55°C〜150°C の範囲で動作するよう規定されており、温度変動の激しい環境でも使用可能です。
ゲート駆動時に注意すべき制約は何ですか？
ゲート‐ソース間電圧の最大定格は 20V であるため、ゲートの損傷を防ぐには、駆動回路をこの閾値の範囲内に収める必要があります。
どのようなスイッチング動作がレイアウトの決定に影響しますか?
このデバイスの標準ゲート電荷 36nC と Rds(on) 値は、ゲートドライバの電流要件と銅幅に影響を与え、I2R 損失を最小限に抑えます。
関連ページ
- Infineon MOSFET 600 V 120 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-263
- Infineon MOSFET 120 A, パッケージ：TO-263
- Infineon MOSFET 40 V 1.80 mΩ, パッケージ：TO-263
- Infineon MOSFET -40 V 3.50 mΩ, パッケージ：TO-263
- Infineon MOSFET 60 V 2 mΩ パッケージ：TO-263
- Infineon MOSFET 80 V 4.1 mΩ パッケージ：TO-263
- Infineon MOSFET 120 V パッケージ：TO-263
- Infineon MOSFET 90 A, パッケージ：TO-263