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Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 120 A N, 表面パッケージTO-263, IPB038N12N3GATMA1

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Infineon 120 V optimosファミリは、業界で最も低いオンステート抵抗と最も高速なスイッチング動作を提供し、幅広い用途で優れた性能を発揮します。120 V optimosテクノロジーにより、最適化されたソリューションの新しい可能性が得られます。

優れたスイッチング性能

世界最低のR DS(on)

非常に低いQ g及びQ gd

優れたゲート充電 x R DS(on)製品(FOM)

RoHS準拠のハロゲンフリー

MSL1定格2

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 120 A N, 表面 パッケージTO-263, IPB038N12N3GATMA1