Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 9 A, 360 mΩ, 13 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
214-4387
メーカー型番:
IPD60R360P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

600V CoolMOS P7

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

最大許容損失Pd

41W

順方向電圧 Vf

900mV

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

6.65mm

幅

6.42mm

規格 / 承認

No

高さ

2.35mm

自動車規格

なし

インフィニオン600V CoolMOS P7シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 600V、連続ドレイン電流 9A - IPD60R360P7ATMA1


このMOSFETは、表面実装の電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、高いドレイン-ソース間電圧に対応しながら、電源および関連回路で制御された導通特性とスイッチング特性を実現します。

特長:


• 最大ドレイン-ソース間電圧 600V により、高電圧設計に対応
• 連続ドレイン電流 9A により、大きな負荷に対応
• 360mΩ のRds(on)により、動作電流時の導通損失を抑制
• 標準ゲート電荷 13nC により、スイッチングエネルギーとストレスを低減
• 最大ゲート-ソース間電圧 20V により、十分な駆動マージンを確保
• 許容電力 41W により、大きな熱負荷に対応

用途


• オフラインスイッチング電源に適合
• 高電圧DC-DCコンバーターに最適
• ブリッジおよびクランプ式スイッチングトポロジに使用
• 産業用モータードライブのフロントエンドに使用可能
• 通信用配電モジュールに適合

パッケージと実装について、どのような点を考慮しておくべきですか?


表面実装用のTO-252パッケージで提供されます。

基板レベルでの放熱が必要な場合は、適切なランドパターンとサーマルビアを確保してください。

動作温度範囲は使用条件にどのような影響を与えますか?


このデバイスは -55°C~150°C で動作するよう規定されているため、この範囲内であれば周囲温度によるディレーティングなしで、温度変化の激しい環境で使用できます。

レイアウト時にはどのようなゲート駆動の制約が適用されますか?


ゲート電荷が 13nC であることを踏まえ、ゲートリードを短くしてインダクタンスを最小限に抑え、駆動時および過渡時にはゲート-ソース間の絶対最大定格 ±20V を守ってください。

設計において電流容量をどのように評価すべきですか?


連続ドレイン電流定格 9A を基準とし、システムレベルの熱抵抗と冷却を確認して、ジャンクション温度を規定範囲内に維持してください。

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