Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD60R360P7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
214-4388
メーカー型番:
IPD60R360P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

600V CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

最大許容損失Pd

41W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

動作温度 Max

150°C

高さ

2.35mm

規格 / 承認

No

幅

6.42 mm

長さ

6.65mm

自動車規格

なし

Infineon の 600 V Cool MOS P7 スーパージャンクション MOSFET は、設計プロセスの使いやすさと高効率性のバランスをとり続けます。クール MOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷（ QG ）により、高効率を実現しています。

Infineon の 600 V Cool MOS P7 スーパージャンクション MOSFET は、設計プロセスの使いやすさと高効率性のバランスをとり続けます。クール MOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷（ QG ）により、高効率を実現しています。

堅牢なボディのダイオードを備えています

内蔵 RG により、 MOSFET の発振感度が低下します

堅牢なボディのダイオードを備えています

内蔵 RG により、 MOSFET の発振感度が低下します

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