Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223

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RS品番:
214-4401
メーカー型番:
IPN80R1K4P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

800V CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

最大許容損失Pd

7W

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.7mm

高さ

1.8mm

幅

3.7 mm

自動車規格

なし

Infineon の 800 V Cool MOS P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格 / 性能比の市場ニーズに完全に対応主にアダプタ及び充電器、 LED ドライバ、オーディオ SMPS 、 AUX 、産業用電源などのフライバック用途に焦点を当てています。

ポートフォリオが完全に最適化されています

組み立てコストが低くなります

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