Infineon MOSFET, Nチャンネル, 800 V, 4 A, 1.4 Ω, 10 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 214-4402
- メーカー型番:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-4402
- メーカー型番:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | 800V CoolMOS P7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大許容損失Pd | 7W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.7mm | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ 800V CoolMOS P7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC | ||
最大許容損失Pd 7W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.7mm | ||
長さ 6.7mm | ||
高さ 1.8mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon の 800 V Cool MOS P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格 / 性能比の市場ニーズに完全に対応主にアダプタ及び充電器、 LED ドライバ、オーディオ SMPS 、 AUX 、産業用電源などのフライバック用途に焦点を当てています。
ポートフォリオが完全に最適化されています
組み立てコストが低くなります
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