Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 180 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 214-4441
- メーカー型番:
- IRF1404ZSTRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 800 - 3200 | ¥167.929 | ¥134,343 |
| 4000 - 7200 | ¥165.46 | ¥132,368 |
| 8000 - 19200 | ¥162.989 | ¥130,391 |
| 20000 - 39200 | ¥160.52 | ¥128,416 |
| 40000 + | ¥158.05 | ¥126,440 |
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- RS品番:
- 214-4441
- メーカー型番:
- IRF1404ZSTRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 180A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.7mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 150nC | |
| 最大許容損失Pd | 200W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 180A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.7mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 150nC | ||
最大許容損失Pd 200W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
この HEXFET パワー MOSFET では、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した反復アバランシェなどの特長があります
鉛フリーです
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