Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージDirectFET

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RS品番:
214-8949
メーカー型番:
AUIRF7675M2TR
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

DirectFET

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

56mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

45W

動作温度 Max

175°C

長さ

6.35mm

規格 / 承認

No

高さ

0.74mm

5.05 mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon は、最新の車載用HEXFETパワーMOSFETシリコン技術と先進のパッケージングプラットフォームを組み合わせています。 車載用Dクラスオーディオアンプ用途向けの最高クラスの部品を提供します。 このパッケージは、電源用途、基板アセンブリ装置、気相や赤外線、対流はんだ付けなどで使用される既存のレイアウトに対応しています。 このパッケージは、両面冷却が可能なため、車載電源システムで熱伝導を最大化します。この特性を組み合わせることにより、車載用Dクラスオーディオアンプに最適なMOSFETになります。

高度なプロセス技術

動作温度: 175 °C

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