Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージDirectFET
- RS品番:
- 215-2447
- メーカー型番:
- AUIRF7640S2TR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 4800 - 4800 | ￥118.104 | ￥566,899 |
| 9600 - 43200 | ￥117.575 | ￥564,360 |
| 48000 - 67200 | ￥115.842 | ￥556,042 |
| 72000 - 91200 | ￥114.109 | ￥547,723 |
| 96000 + | ￥112.387 | ￥539,458 |
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- RS品番:
- 215-2447
- メーカー型番:
- AUIRF7640S2TR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 21A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | DirectFET | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 36mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 30W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 21A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 DirectFET | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 36mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.3nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 30W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon の車載用 DirectFET ® パワー MOSFET シリーズは、最大ドレインソース電圧 60 V 、最大連続ドレイン電流 20 A を DirectFET 小型 CAN パッケージに収めています。AUIRF7640S2TR / TR1 は、最新の車載用 HEXFET ® パワー MOSFET シリコン技術と Advanced DirectFET ® パッケージプラットフォームを組み合わせ、車載クラス D オーディオアンプ用途でクラス最高の性能を発揮します。DirectFET ® パッケージは、電源用途、基板アセンブリ機器及び気相、赤外線又は対流はんだ付け技術で使用される既存のレイアウトジオメトリと互換性があります。実装ノート AN-1035 に準拠し、製造方法とプロセスを記載しています。DirectFET ® パッケージを使用すると、両面冷却が可能になり、車載電源システムの熱伝導を最大化できます。
先進のプロセス技術
クラス D オーディオアンプ及び高速スイッチング向けに最適化されています 用途
低 RDS （ on ）で効率を向上
反復アバランシェ機能で堅牢性と信頼性を向上
鉛フリー、 RoHS 及びハロゲンフリー