Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 160 A 75 V パッケージDirectFET

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計:*

¥886.00

(税抜)

¥974.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 58 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1 - 49¥886
50 - 99¥822
100 - 499¥759
500 - 1999¥695
2000 +¥632

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
273-5220
メーカー型番:
AUIRF7759L2TR
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

160A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

DirectFET

シリーズ

HEXFET

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
MX
Infineon Power MOSFETは、効率と電力密度が不可欠な用途向けに設計されています。最新のシリコン技術と組み合わせた高度なDirectFETパッケージングプラットフォームにより、IEC、HEV、EVプラットフォームのモータドライブ、高周波DC-DC、その他のヘビー負荷用途に特に大幅なシステムレベルの節約と性能の向上を実現します。このMOSFETは、最新の処理技術を使用して、低オン抵抗とシリコン面積あたりの低Qgを実現します。このMOSFETの追加の特長は、高い繰り返しピーク電流能力です。これらの機能を組み合わせて、このMOSFETは高電流自動車用途向けの高効率で頑丈で信頼性の高いデバイスです。

RoHS準拠

両面冷却

高電力密度

自動車認定

低寄生パラメータ

鉛フリー及びハロゲンフリー

高度なプロセス技術

関連ページ