仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	250A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.8mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	150nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	230W
	動作温度 Max	175°C
	幅	9.65 mm
	高さ	4.83mm
	規格 / 承認	No
	長さ	10.67mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 250A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.8mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 150nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 230W
	動作温度 Max 175°C
	幅 9.65 mm
	高さ 4.83mm
	規格 / 承認 No
	長さ 10.67mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - AUIRFS8407TRL

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。175℃のジャンクション動作温度、高速スイッチング、向上した繰り返しアバランシェ定格といった特長もあります。これらの特長により、車載用をはじめ、幅広い用途に使用できる、高効率で信頼性の高いデバイスです。

先進のプロセス技術

新しい超低オン抵抗

車載用認定済み

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 250 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

関連ページ