Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 275 A, 1.05 mΩ, 87 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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梱包形態
RS品番:
214-8970
メーカー型番:
BSC010N04LSIATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

275A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.05mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

139W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

87nC

順方向電圧 Vf

700mV

動作温度 Max

+175°C

幅

6.1mm

規格 / 承認

No

長さ

5.35mm

高さ

1.2mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、40Vドレインソース電圧、275A連続ドレイン電流 - BSC010N04LSIATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい電力用途向けに設計された高電流スイッチングコンポーネントです。非常に広い周囲温度範囲で動作し、コンパクトなアセンブリの表面実装基板実装向けに設計されています。このデバイスは、エンハンスメントモードNチャンネルを備え、堅牢なスイッチング制御に適したゲートドライブ電圧をサポートします。

特長:


• 低導電抵抗により、効率的な高電流スイッチングを実現
• 高い連続ドレイン電流により、大幅な負荷駆動を実現
• 40 Vドレイン・ソース定格により、中電圧システムの使用が可能
• 139 Wの損失により、高い電力処理をサポート
• 87 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 20 Vゲート‐ソース許容差により、ゲートドライブ用のヘッドルームを実現

用途


• 高電流DCモータードライブに最適
• バッテリーシステムの配電に使用
• コンバータの同期整流に最適
• サーバーおよび通信電源ステージに使用可能
• 堅牢なスイッチを必要とするインバータモジュールと併用

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~+175°Cまでの連続使用に対応しています。

基板アセンブリには、どのようなパッケージと取付方式を使用しますか?


表面実装用のTDSONパッケージで提供されます。

レイアウトとルーティングに使用できる電気接続数はどれくらいですか?


このデバイスは、電源およびゲート接続に8ピン構成を採用しています。

スイッチング時に設計者はどのようなゲート駆動動作を期待する必要がありますか?


設計者は、ドライブ損失とスイッチング時間を計算する際に、標準的な87 nCのゲート電荷を計算する必要があります。

コンポーネントを配置する際に、どのような物理的フットプリントを許容すべきですか?


このパッケージの長さは5.35 mm、幅は6.1 mm、高さは1.2 mmです。

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