Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 100 A, 1.4 mΩ, 34 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 906-4362
- メーカー型番:
- BSC011N03LSIATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示10個小計, 10パック：*
￥2,700
(税抜)
￥2,970
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 14,080 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | ￥270.00 | ￥2,700 |
| 250 - 2390 | ￥246.90 | ￥2,469 |
| 2400 - 3190 | ￥223.40 | ￥2,234 |
| 3200 - 3990 | ￥200.50 | ￥2,005 |
| 4000 + | ￥177.00 | ￥1,770 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 906-4362
- メーカー型番:
- BSC011N03LSIATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 34nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.7V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 最大許容損失Pd | 96W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5.35mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.1mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 34nC | ||
順方向電圧 Vf 0.7V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
最大許容損失Pd 96W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5.35mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.1mm | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
インフィニオン OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧30V、最大連続ドレイン電流100A - BSC011N03LSIATMA1
このMOSFETは、表面実装アセンブリにおける高電流・低電圧用途向けに設計された電力スイッチングトランジスタです。広動作温度範囲に対応し、高効率な導通特性と高速ゲート制御が必要な用途向けに設計されています。本デバイスは、8ピンTDSONパッケージで提供され、回路基板表面に直接取り付けるように設計されています。
特長：
• 1.4 mΩの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 100Aの高い連続ドレイン電流により、大負荷に対応
• 順方向電圧Vfを0.7Vに低減することで、負荷時の効率を向上
• 34nCの中程度のゲート電荷により、比較的高速なスイッチングを実現
• 最大ドレイン・ソース間電圧30Vにより、低電圧電源回路に対応
• 96Wの最大許容電力損失により、高い熱ストレスに対応
• 100Aの高い連続ドレイン電流により、大負荷に対応
• 順方向電圧Vfを0.7Vに低減することで、負荷時の効率を向上
• 34nCの中程度のゲート電荷により、比較的高速なスイッチングを実現
• 最大ドレイン・ソース間電圧30Vにより、低電圧電源回路に対応
• 96Wの最大許容電力損失により、高い熱ストレスに対応
用途
• 電源の同期降圧コンバータに適合
• 大電流が求められるモータードライブの変換段に最適
• 高放電システムのバッテリ管理回路に使用
• 通信機器のDC-DCコンバーターに使用可能
• 表面実装基盤の高電流負荷のスイッチングに使用
• 大電流が求められるモータードライブの変換段に最適
• 高放電システムのバッテリ管理回路に使用
• 通信機器のDC-DCコンバーターに使用可能
• 表面実装基盤の高電流負荷のスイッチングに使用
安全に動作させるために、どのようなゲート電圧制限を守る必要がありますか？
ゲート・ソース間の定格で夏は最大20 Vに制限されているため、ゲート駆動電圧は必ずこの範囲内に抑えてください。
熱性能は、極端な周囲温度環境とどのように関連していますか？
本デバイスは、-55°C～150°Cのジャンクション温度範囲で動作するように設計されており、適切な熱管理を行うことで、温度変化の激しい環境下でも使用可能です。
設置およびフットプリン設計において、どのような考慮が必要ですか？
表面実装向けの8ピンTDSONパッケージで提供されます。
96Wの電力損失に対応し、高電流経路を確保できるよう、プリント基板のサーマルビア配置および銅面積を適切に設計してください。
チャネルタイプは回路構成の選択にどのような影響を与えますか？
Nチャンネルエンハンスメントモードには、導通のためにゲートをソースに対して正に駆動する必要があり、ローサイドスイッチまたは同期配置として適しています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 30 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 25 V パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 30 V 2.9 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 30 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 25 V 1.4 mΩ パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 40 V 1.05 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 34 V 9 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 30 V 5 mΩ パッケージ：TDSON