Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC010N04LSATMA1

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RS品番:
273-2625
メーカー型番:
BSC010N04LSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

139W

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

95nC

動作温度 Max

150°C

長さ

6.1mm

規格 / 承認

No

幅

5.35 mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

InfineonパワーMOSFETは、Nチャンネル40 VパワーMOSFETです。このMOSFETは同期整流に最適化されており、ソース相互接続が拡張されたため、はんだジョイントの信頼性が高くなっています。ターゲット用途向けにJEDECに準拠した認定を取得しています。

ハロゲンフリー

RoHS準拠

鉛フリーリードめっき

非常に低いオン抵抗

優れた耐熱性

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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