Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, BSC0502NSIATMA1

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋15個入り) 小計:*

¥1,891.995

(税抜)

¥2,081.19

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 14,985 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
15 - 285¥126.133¥1,892
300 - 2385¥110.333¥1,655
2400 - 3135¥95.067¥1,426
3150 - 3885¥79.267¥1,189
3900 +¥64.133¥962

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
214-8975
メーカー型番:
BSC0502NSIATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

43W

順方向電圧 Vf

0.65V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

5.49mm

高さ

1.1mm

6.35 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS 製品は、高性能パッケージに収められ、最も厳しい用途に対応し、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon 製品は、コンピューティング・アプリケーションにおいて次世代電圧レギュレーション規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、それを上回るように設計されています。

モノリシック統合ショットキーダイオード

高性能降圧コンバータ用に最適化

100%アバランシェ試験済み

関連ページ