Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 88 A N, 表面, 8-Pin パッケージTDSON

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール5000個入り) 小計：*

￥308,385.00

(税抜)

￥339,225.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,000 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5000 - 5000￥61.677￥308,385
10000 - 45000￥61.153￥305,765
50000 - 70000￥60.005￥300,025
75000 - 95000￥58.849￥294,245
100000 +￥57.709￥288,545

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
258-0686
メーカー型番:
BSC0503NSIATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

88A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

BSC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.7mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.54V

最大許容損失Pd

36W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, IEC 61249-2-21

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS 5 25 V及び30 V製品ファミリは、スタンバイとフル動作の両方で最高の電力密度とエネルギー効率を実現することで、ベンチマークソリューションを提供します。

最高効率

S3O8又はパワーブロックパッケージによる最高電力密度

全体的なシステムコストの削減

高スイッチング周波数で動作

関連ページ