Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 18 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IPA60R180P7SXKSA1

Infineon CoolMOS 第 7 世代プラットフォームは、スーパージャンクション（SJ）原理に従って設計され、インフィニオン・テクノロジーズが開発した高電圧パワーMOSFET向けの革新的な技術です。600 V CoolMOS P7 シリーズは、 CoolMOS P6 シリーズの後継製品です。高速スイッチング SJ MOSFET の利点と使いやすさ（例：非常に低いリンギング、ハード整流に対するボディダイオードの卓越した堅牢性、優れた ESD 耐性）を兼ね備えています。スイッチング損失と導電損失が極めて低いため、スイッチング用途の効率性をたかめ、よりコンパクトに、そして冷却性がさらに向上します。

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>全ての製品で 2 kV （ HBM）の優れたESD 耐性

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