Infineon MOSFET, Nチャンネル, 55 V, 19 A, 64 mΩ, 11 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

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梱包形態
RS品番:
214-9033
メーカー型番:
IPD15N06S2L64ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

64mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

47W

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

長さ

6.5mm

幅

6.22mm

規格 / 承認

No

高さ

2.3mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、55Vドレインソース電圧、19A連続ドレイン電流 - IPD15N06S2L64ATMA2


このMOSFETは、高要求の自動車および産業環境向けに設計されたパワースイッチングトランジスタで、幅広い温度範囲でNチャンネル強化モードで制御された電流伝導を実現します。高温下での効率的なスイッチングと耐久性が求められる表面実装型プリント基板設計に適しています。

特長：


• 要求の厳しい電圧マージンに対応する最大ドレイン‐ソース電圧: 55 V
• 19 Aの連続ドレイン電流により、高電流スイッチング性能を実現
• 64 mΩの最大Rds(on)により、導通損失を低減
• 47Wの最大消費電力により、堅牢な熱処理を実現
• 11 nC標準ゲート電荷で高速スイッチングトランジションを実現
• 20 Vの最大ゲートソース定格により、柔軟なゲートドライブレベルを実現

用途


• 自動車用配電モジュールに最適
• DC-DCコンバータスイッチステージに最適
• 車両のモーター駆動回路に使用
• 制御ユニットの高速負荷スイッチングに使用可能
• コンパクトボードの表面実装電源管理に最適

どのような温度範囲で動作しますか？


-55°C～175°Cで動作し、低温スタートおよび高温エンジンベイ条件に対応します。

このパッケージは、プリント基板アセンブリをどのようにサポートしますか?


このコンポーネントは、6.5 x 6.22 mmのTO‐252表面実装パッケージで提供され、自動はんだ付けプロセスに適しています。

チャンネル構成と動作モードはどのようなものですか?


N‐タイプチャンネルを使用し、導通に正のゲート‐ソース電圧を必要とするエンハンスメントモードで動作します。

設計者はどのような順方向伝導特性を期待する必要がありますか?


導通時に1.3 Vの順方向電圧を期待し、電圧降下および熱計算に影響を与えます。

ゲートドライブの大きさに制限はありますか?


ゲート‐ソース電圧は20 Vを超えてはならないため、ゲート‐領域の過剰なストレスを防止します。

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