Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD50N08S413ATMA1
- RS品番:
- 229-1833
- メーカー型番:
- IPD50N08S413ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 229-1833
- メーカー型番:
- IPD50N08S413ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | IPD | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 19nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 72W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.5mm | |
| 高さ | 2.3mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ IPD | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 72W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.5mm | ||
高さ 2.3mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon n チャンネル MOSFET は、 175 ° C の動作温度と 100 % アバランシェテスト済みです。
RoHS 準拠で AEC Q101 認定です
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