Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD50N08S413ATMA1

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梱包形態
RS品番:
229-1833
メーカー型番:
IPD50N08S413ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

72W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.5mm

高さ

2.3mm

幅

6.22 mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon n チャンネル MOSFET は、 175 ° C の動作温度と 100 % アバランシェテスト済みです。

RoHS 準拠で AEC Q101 認定です

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