Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージVSON

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RS品番:
220-7432
メーカー型番:
IPL60R105P7AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

VSON

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

105mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

45nC

最大許容損失Pd

137W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

8.1 mm

長さ

8.1mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS P7 スーパージャンクション（SJ）MOSFETは、 600 V CoolMOS P6 シリーズの後継製品です。高効率化と使いやすさを両立させた設計を続けています。CoolMOS第7世代プラットフォームは、クラス最高のRonxAと低いゲート電荷（QG）により、高効率を実現しています。

600V P7により、優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを実現

ESD耐性≥ 2kV（HBM クラス 2

ゲート抵抗RG内蔵

高耐久性ボディダイオード

スルーホールと表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

標準グレードと産業用グレードの両方が利用可能

優れたFOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss により高効率化を実現

ESD故障の発生を抑制し、製造現場での使い勝手を向上

RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減

MOSFETはPFCやLLCなどのハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに最適

LLC トポロジで見られるボディダイオードのハードコミュテーションにおいて優れた耐久性を発揮

様々なアプリケーション、出力電力に対応可能

民生用や産業用アプリケーションに適した部品を用意

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