Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 23.8 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IPP60R160P6XKSA1

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RS品番:
214-9093
メーカー型番:
IPP60R160P6XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

23.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

CoolMOS P6

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

160mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

176W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

44nC

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Min

-55°C

高さ

9.45mm

長さ

10.36mm

規格 / 承認

No

4.57 mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS シリーズは、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計され、インフィニオン・テクノロジーズが開発した高電圧パワーMOSFETです。CoolMOS P6 シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET メーカーの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。本製品は、使いやすさを損なうことなく、高速スイッチング SJ MOSFET の利点を備えています。スイッチング損失と導電損失が極めて低いため、スイッチング用途の効率性、小型化、軽量化、冷却性がさらに向上します。

Infineon CoolMOS シリーズは、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計され、インフィニオン・テクノロジーズが開発した高電圧パワーMOSFETです。CoolMOS P6 シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET メーカーの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。本製品は、使いやすさを損なうことなく、高速スイッチング SJ MOSFET の利点を備えています。スイッチング損失と導電損失が極めて低いため、スイッチング用途の効率性、小型化、軽量化、冷却性がさらに向上します。

使いやすい・駆動しやすい

JEDEC ( J-STD20 及び JESD22 )準拠の産業用途に対応

高耐久性

使いやすい・駆動しやすい

JEDEC ( J-STD20 及び JESD22 )準拠の産業用途に対応

高耐久性

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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