Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 600 V, 20 A, 160 mΩ, 31 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋2個入り) 小計:*

¥1,154.00

(税抜)

¥1,269.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 192 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
2 - 10¥577.00¥1,154
12 - 22¥565.50¥1,131
24 - 30¥553.50¥1,107
32 - 38¥541.00¥1,082
40 +¥531.00¥1,062

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
258-3895
メーカー型番:
IPP60R160P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPP

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

160mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31nC

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS P7スーパージャンクションMOSFETは、600 V CoolMOS P6シリーズの後継製品です。高効率の必要性と設計プロセスの使いやすさのバランスを維持します。クラス最高のRonxAとCoolMOS第7世代プラットフォームの固有の低ゲート充電により、高い効率を実現します。

ゲート抵抗器RG内蔵

頑丈なボディダイオード

スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

ESD障害の発生を防止することで、製造環境での使いやすさ

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。