Infineon MOSFET650 V 66 A 表面実装 パッケージPG-TO 220
- RS品番:
- 258-3895
- メーカー型番:
- IPP60R160P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
在庫切れ
単価： 購入単位は2個
￥527.50
(税抜)
￥580.25
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 10 | ￥527.50 | ￥1,055.00 |
| 12 - 22 | ￥512.50 | ￥1,025.00 |
| 24 - 30 | ￥393.50 | ￥787.00 |
| 32 - 38 | ￥334.00 | ￥668.00 |
| 40 + | ￥274.50 | ￥549.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 258-3895
- メーカー型番:
- IPP60R160P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon 600 V CoolMOS P7スーパージャンクションMOSFETは、600 V CoolMOS P6シリーズの後継製品です。高効率の必要性と設計プロセスの使いやすさのバランスを維持します。クラス最高のRonxAとCoolMOS第7世代プラットフォームの固有の低ゲート充電により、高い効率を実現します。
ゲート抵抗器RG内蔵
頑丈なボディダイオード
スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ
ESD障害の発生を防止することで、製造環境での使いやすさ
頑丈なボディダイオード
スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ
ESD障害の発生を防止することで、製造環境での使いやすさ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続ドレイン電流 | 66 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | PG-TO 220 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
関連ページ
- Infineon MOSFET650 V 66 A 表面実装 パッケージPG-TO 220
- Infineon MOSFET650 V 26 A 表面実装 パッケージPG-TO 220
- Infineon IGBT PG-TO-220-3
- Infineon Nチャンネル MOSFETトランジスタ 15 A スルーホール パッケージPG-TO 220 3 ピン
- Infineon MOSFETトランジスタ 18 A パッケージPG-TO 220
- Infineon MOSFETトランジスタ 24.8 A パッケージPG-TO-220 FullPAK
- Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 72 A 表面実装 パッケージPG-TO 220 FP
- Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 72 A 表面実装 パッケージPG-TO-220 FP