Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 8.4 A, 800 mΩ, 17.2 nC, 3ピン, パッケージ:TO-251

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RS品番:
214-9102
メーカー型番:
IPS60R800CEAKMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

CoolMOS CE

パッケージ型式

TO-251

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

800mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

0.9V

最大許容損失Pd

74W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17.2nC

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

長さ

6.73mm

高さ

6.22mm

2.4mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS は、スーパージャンクション( SJ )原理に従って設計された、インフィニオン・テクノロジーズが開発した高電圧パワーMOSFETです。CoolMOS CE は、最高水準の効率性を実現し、消費者市場や照明市場など、コスト重視の用途に対応できる、コストパフォーマンスが最適化されたプラットフォームです。この新シリーズは、高速スイッチングスーパージャンクションMOSFETの利点を備え、使いやすさを損なうことなく、市場で入手できる最高のコストパフォーマンスを実現しています。

使いやすい ・駆動しやすい

高耐久性

標準グレードの用途に適合

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