Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 18 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IPW65R125C7XKSA1

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梱包形態
RS品番:
214-9119
メーカー型番:
IPW65R125C7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS C7

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

101W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

規格 / 承認

No

長さ

16.13mm

高さ

21.1mm

幅

5.21 mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS C7 は、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術を採用し、スーパージャンクション（SJ）原理に従って設計され、インフィニオン・テクノロジーズが開発した高電圧パワーMOSFETです。CoolMOS C7 シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET メーカーの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。本製品は、高効率、低ゲート電荷、容易な実装、優れた信頼性を実現し、高速スイッチングスーパージャンクション MOSFET の利点を提供します。

使いやすい・駆動しやすい

JEDEC （ J-STD20 及び JESD22 ）準拠の産業用途に対応

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