Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 111 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247, IPW60R018CFD7XKSA1

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222-4719
メーカー型番:
IPW60R018CFD7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

111A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

18mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

251nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

416W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

16.13mm

規格 / 承認

No

幅

21.1 mm

高さ

5.21mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineonテクノロジーによってはじめられました。600VのCool MOS™ C7シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET サプライヤの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。600 V C7は、RDS(on) Aが1Ω*mm²を下回る史上初の技術です。

Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineonテクノロジーによってはじめられました。600VのCool MOS™ C7シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET サプライヤの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。600 V C7は、RDS(on) Aが1Ω*mm²を下回る史上初の技術です。

鉛フリーリードめっき; RoHS 準拠

100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性

IEC61249-2-23に準拠、ハロゲン未使用

鉛フリーリードめっき; RoHS 準拠

100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性

IEC61249-2-23に準拠、ハロゲン未使用

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