Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 47 A, 13.4 mΩ, 9.4 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO
- RS品番:
- 215-2465
- メーカー型番:
- BSC094N06LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2465
- メーカー型番:
- BSC094N06LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 47A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SuperSO | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| 最大許容損失Pd | 36W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 47A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SuperSO | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.4nC | ||
最大許容損失Pd 36W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンOptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 60V、最大連続ドレイン電流 47A - BSC094N06LS5ATMA1
このMOSFETは、表面実装アセンブリでの大電流スイッチング向けのNチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。過酷な環境に対応する幅広い温度範囲で動作し、中程度のドレイン-ソース間定格電圧と低導通損失が求められる電力変換用途に適しています。
特長：
• ドレイン定格電圧 60V により、中電圧の電力スイッチングが可能
• 連続電流 47A により、高負荷用途に対応
• 13.4mΩ のRds(on)により、導通電力損失を低減
• 最大許容電力 36W により、大きな電力処理が可能
• 標準ゲート電荷 9.4nC により、スイッチングエネルギーを最適化
• ゲート許容電圧 20V により、柔軟な駆動電圧に対応
• 連続電流 47A により、高負荷用途に対応
• 13.4mΩ のRds(on)により、導通電力損失を低減
• 最大許容電力 36W により、大きな電力処理が可能
• 標準ゲート電荷 9.4nC により、スイッチングエネルギーを最適化
• ゲート許容電圧 20V により、柔軟な駆動電圧に対応
用途
• 同期降圧レギュレータ段に適合
• モータードライバのハーフブリッジアセンブリに最適
• サーバー電源管理のフロントエンドに使用
• バッテリ保護および配電に使用可能
• 大電流DC-DCコンバータに適合
• モータードライバのハーフブリッジアセンブリに最適
• サーバー電源管理のフロントエンドに使用
• バッテリ保護および配電に使用可能
• 大電流DC-DCコンバータに適合
動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか？
-55°C～150°C の幅広い温度範囲で機能し、コールドスタート環境と高温環境の両方で使用できます。
実装用にどのような形でパッケージされていますか？
このデバイスは、基板実装と自動組立に対応する8ピンのSuperSO表面実装パッケージで提供されます。
ゲート駆動時、設計者はどのようなスイッチング特性を想定できますか？
標準ゲート電荷は 9.4nC で、スイッチング速度と駆動エネルギーのバランスが取れており、一般的なゲートドライバで駆動した場合に効率的な遷移が可能です。
このデバイスは導通時の低電圧降下向けに最適化されていますか？
はい。
13.4mΩ の低いドレイン-ソース間抵抗により負荷時の電圧降下を最小限に抑え、連続動作時の発熱を低減します。
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