Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 47 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO, BSC094N06LS5ATMA1

RS品番:: 215-2465
メーカー型番:: BSC094N06LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 47 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO, BSC094N06LS5ATMA1

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300 - 2380	￥113.80	￥2,276
2400 - 3180	￥97.30	￥1,946
3200 - 3980	￥81.65	￥1,633
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RS品番:: 215-2465
メーカー型番:: BSC094N06LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	47A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SuperSO
	シリーズ	OptiMOS
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	13.4mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	36W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	9.4nC
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 47A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SuperSO
	シリーズ OptiMOS
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.4mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 36W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.4nC
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Infineon の OptiMOS ™ 5 パワー MOSFET のロジックレベルは、ワイヤレス充電、アダプタ、通信の用途に最適です。このデバイスの低ゲート電荷（ Q g ）により、導電損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。性能指数の向上により、高スイッチング周波数で動作可能です。さらに、ロジックレベルドライブはゲートしきい値電圧（ V GS （ the ））が低く、 MOSFET を 5 V で、マイクロコントローラから直接駆動できます。

小型パッケージに低 R DS （ on ）を実現しています

低ゲート電荷量

出力電荷量を低減します

ロジックレベルの互換性