Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 47 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO

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RS品番:
215-2464
メーカー型番:
BSC094N06LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

47A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SuperSO

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

36W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.4nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS ™ 5 パワー MOSFET のロジックレベルは、ワイヤレス充電、アダプタ、通信の用途に最適です。このデバイスの低ゲート電荷（ Q g ）により、導電損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。性能指数の向上により、高スイッチング周波数で動作可能です。さらに、ロジックレベルドライブはゲートしきい値電圧（ V GS （ the ））が低く、 MOSFET を 5 V で、マイクロコントローラから直接駆動できます。

小型パッケージに低 R DS （ on ）を実現しています

低ゲート電荷量

出力電荷量を低減します

ロジックレベルの互換性

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