Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 620 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-59, BSR315PH6327XTSA1
- RS品番:
- 215-2469
- メーカー型番:
- BSR315PH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2469
- メーカー型番:
- BSR315PH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 620mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SC-59 | |
| シリーズ | SIPMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 800mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 0.5W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 620mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SC-59 | ||
シリーズ SIPMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 800mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6nC | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
最大許容損失Pd 0.5W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon SIPMOS ® 小信号トランジスタ P チャンネル拡張モード電界効果トランジスタ（ FET ）は、 SOT-23 パッケージタイプの最大ドレインソース電圧で -20 V です。Infineon の革新的な OptiMOS ™ファミリには、 p チャネルパワー MOSFET が搭載されています。これらの製品は、オン状態抵抗や性能指数特性などの電源システム設計の主要な仕様において、常に最高の品質と性能要求を満たしています。BSS84P は、スイッチング性能に優れた小型表面実装パッケージに収められた P チャンネル拡張モード MOSFET です。この製品は、特に低電圧、低電流の用途に適しています。
強化モード
ロジックレベル
アバランシェ定格
高速スイッチング
dV/dt 定格
鉛フリーリードめっき
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