Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 620 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-59, BSR315PH6327XTSA1

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梱包形態
RS品番:
215-2469
メーカー型番:
BSR315PH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

620mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SC-59

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

800mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大許容損失Pd

0.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon SIPMOS ® 小信号トランジスタ P チャンネル拡張モード電界効果トランジスタ（ FET ）は、 SOT-23 パッケージタイプの最大ドレインソース電圧で -20 V です。Infineon の革新的な OptiMOS ™ファミリには、 p チャネルパワー MOSFET が搭載されています。これらの製品は、オン状態抵抗や性能指数特性などの電源システム設計の主要な仕様において、常に最高の品質と性能要求を満たしています。BSS84P は、スイッチング性能に優れた小型表面実装パッケージに収められた P チャンネル拡張モード MOSFET です。この製品は、特に低電圧、低電流の用途に適しています。

強化モード

ロジックレベル

アバランシェ定格

高速スイッチング

dV/dt 定格

鉛フリーリードめっき

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