Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 60 V, 1.17 A, 800 mΩ, 5.2 nC, 4ピン, パッケージ:SOT-223

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RS品番:
826-9238
Distrelec 品番:
304-44-415
メーカー型番:
BSP315PH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.17A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SIPMOS

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

800mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

5.2nC

順方向電圧 Vf

-0.97V

最大許容損失Pd

1.8W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

3.5mm

長さ

6.5mm

規格 / 承認

No

高さ

1.6mm

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオン SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 60V、最大許容電力損失


このMOSFETは、車載および産業用途における表面実装用の電力スイッチング向けに設計されたPチャネル・エンハンスメントモードトランジスタです。コンパクトなアセンブリにおいて負荷スイッチングおよび逆極性保護のための中程度の電流・電圧に対応し、長時間の温度範囲での動作が求められる環境に適しています。

特長:


• 60Vのドレイン-ソース間定格電圧により、中電圧スイッチングに対応
• 1.17Aの連続ドレイン電流により、小信号電力供給に対応
• 最大800 mΩのオン抵抗により、導通損失を低減
• 5.2nCのゲート総電荷量により、効率的な ゲート駆動を実現
• 1.8Wの最大許容電力損失により、持続的な低消費電力動作を実現
• 車載グレードの応力耐性に関するAEC‑Q101認定

用途


• 車載システムにおけるバッテリ管理の負荷スイッチングに最適
• 車載用電子機器の逆極性保護に最適
• ハイサイドスイッチング用の低消費電力DC/DCコンバータで使用
• テレマティクスモジュールの負荷切断に使用可能
• 表面実装を必要とするコンパクトな電源制御盤に最適

どのような温度範囲で動作しますか?


-55°C~150°Cで動作するよう規定されており、高温環境に適しています。

どのようなパッケージと取り付け方法を使用しますか?


本デバイスは、表面実装向けにSOT-223パッケージで提供されています。

回路接続用のピン数はどれくらいですか?


ソース、ドレイン、ゲート、取り付け/接点配置に対応する4つのピンを備えています。

使用中に確認する必要がある最大ゲート電圧はいくつですか?


デバイスのストレスを回避するため、ゲートソース電圧は20 Vを超えてはなりません。

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