Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 9 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IPP60R360P7XKSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,834.00

(税抜)

￥2,017.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 420 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 10￥183.40￥1,834
20 +￥178.90￥1,789

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
215-2544
メーカー型番:
IPP60R360P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

最大許容損失Pd

41W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 600 V Cool MOS ™ P7 は、 600 V Cool MOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率が求められるニーズと、設計プロセスにおける使いやすさのバランスを維持しています。Cool MOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の R onxA と本質的に低いゲート電荷（ Q G ）により、高い効率が保証されます。高速スイッチング SJ MOSFET の利点と使いやすさ（例：非常に低いリンギング傾向、ハード整流に対するボディダイオードの卓越した堅牢性、優れた ESD 機能）が組み合わされています。さらに、スイッチング損失と導電損失が極めて低いため、スイッチング用途がより効率的で、コンパクトで、はるかに低温になります。

ハードスイッチング及びソフトスイッチング（ PFC 及び LLC ）に最適 優れた耐久性を備えています

>すべての製品で優れた ESD 耐性： 2 kV （ HBM

スイッチング損失と導電損失を大幅に低減

スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

関連ページ