Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 35 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

Infineon 600 V Cool MOS ™ C7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET シリーズは、 Cool MOS ™ CP と比較してターンオフ損失（ E oss ）を約 50 % 削減し、 PFC 、 TTF 、その他のハードスイッチングトポロジで優れた性能を発揮します。IPL60R185C7 は、高電力密度充電器の設計にも最適です。効率性と TCO （総所有コスト>）が重視されるハイパーデータセンターや高効率通信用整流器（ 96 % ）などの用途は、 Cool MOS ™ C7 による高効率の恩恵を受けます。ゲインは、PFCトポロジで0.3～0.7 %、LLCトポロジで0.1 %を実現可能です。たとえば、 2.5 kW サーバー PSU の場合、 600 V Cool MOS ™ C7 SJ MOSFET を TO-247 4 ピンパッケージで使用すると、 PSU のエネルギー損失を約 10 % 削減できます。

Infineon 600 V Cool MOS ™ C7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET シリーズは、 Cool MOS ™ CP と比較してターンオフ損失（ E oss ）を約 50 % 削減し、 PFC 、 TTF 、その他のハードスイッチングトポロジで優れた性能を発揮します。IPL60R185C7 は、高電力密度充電器の設計にも最適です。効率性と TCO （総所有コスト>）が重視されるハイパーデータセンターや高効率通信用整流器（ 96 % ）などの用途は、 Cool MOS ™ C7 による高効率の恩恵を受けます。ゲインは、PFCトポロジで0.3～0.7 %、LLCトポロジで0.1 %を実現可能です。たとえば、 2.5 kW サーバー PSU の場合、 600 V Cool MOS ™ C7 SJ MOSFET を TO-247 4 ピンパッケージで使用すると、 PSU のエネルギー損失を約 10 % 削減できます。

Qg、Coss、Eossといったスイッチング損失パラメータ値を低減

Qg、Coss、Eossといったスイッチング損失パラメータ値を低減

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