Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージDirectFET

Bulk discount available

Subtotal (1 reel of 4800 units)*

¥818,942.40

(exc. VAT)

¥900,835.20

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
Units
Per unit
Per Reel*
4800 - 4800¥170.613¥818,942
9600 - 43200¥169.371¥812,981
48000 - 67200¥168.128¥807,014
72000 - 91200¥166.886¥801,053
96000 +¥165.652¥795,130

*price indicative

RS Stock No.:
215-2580
Mfr. Part No.:
IRF6785MTRPBF
Brand:
インフィニオン
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

DirectFET

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

100mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

57W

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、定格 19 A 、低オン抵抗に最適化された DirectFET MZ パッケージに収容された最大ドレインソース電圧 200 V を備えています。このデジタルオーディオ MOSFET は、クラス D オーディオアンプ用途専用に設計されています。この MOSFET は、最新の処理技術を利用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を低く抑えています。さらに、ゲート電荷、ボディダイオード逆回復、内部ゲート抵抗などの最適化により、効率、 THD 、 EMI などの主要なクラス D オーディオアンプの性能係数が向上しています。IRF6785MPbF デバイスは、 DirectFETTM パッケージ技術を使用しています。DirectFETTM パッケージング技術は、従来のワイヤ結合 SOIC パッケージと比べて、寄生インダクタンスと抵抗が低くなっています。

最新の MOSFET シリコン技術

クラス D オーディオアンプ用途向けに最適化されたキーパラメータです

両面冷却対応

鉛フリー(最大 260 ° C のリフローに適合)

Related links