1 Infineon パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 10 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール4000個入り) 小計：*

￥616,336.00

(税抜)

￥677,968.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年3月30日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
4000 - 4000￥154.084￥616,336
8000 - 36000￥151.818￥607,272
40000 - 56000￥149.552￥598,208
60000 - 76000￥147.286￥589,144
80000 +￥145.021￥580,084

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
215-2589
メーカー型番:
IRF8910TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

10A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

2W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.4nC

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル

長さ

5mm

規格 / 承認

No

幅

4 mm

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、 SO-8 パッケージで最大ドレインソース電圧 20 V を実現しています。この製品は、デスクトップ、サーバー、グラフィックカード、ゲームコンソール、及びセットトップボックスに POL コンバータ用のデュアル SO-8 MOSFET として適用されています。

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、 SO-8 パッケージで最大ドレインソース電圧 20 V を実現しています。この製品は、デスクトップ、サーバー、グラフィックカード、ゲームコンソール、及びセットトップボックスに POL コンバータ用のデュアル SO-8 MOSFET として適用されています。

無鉛

低RDS(on)

超低ゲートインピーダンス

デュアルNチャンネルMOSFET

無鉛

低RDS(on)

超低ゲートインピーダンス

デュアルNチャンネルMOSFET

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ