Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 48 A, 23 mΩ, 60 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263

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梱包形態
RS品番:
215-2605
メーカー型番:
IRFZ44ESTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)

60 V

最大連続ドレイン電流(Id)

48 A

最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)

23 mΩ

標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs

60 nC

ピン数

3

パッケージ型式

TO-263

自動車規格

なし

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 (Vf)

1.3 V

最大ゲートソース電圧(Vgs)

20 V

動作温度 (Max)

175 °C

最大許容損失(Pd)

110 W

動作温度 (Min)

-55 °C

取付タイプ

表面

シリーズ

HEXFET

規格 / 承認

No

The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize Advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2pack is a surface mount power package capable of accommodating die sizes upto HEX-4. It provide the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2pack is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.

Advanced Process Technology

Fully avalanche rated

Fast switching

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