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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	84A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	12mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	86.6nC
	最大許容損失Pd	170W
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Max	175°C
	幅	9.65 mm
	長さ	10.67mm
	高さ	4.83mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 84A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 86.6nC
	最大許容損失Pd 170W
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Max 175°C
	幅 9.65 mm
	長さ 10.67mm
	高さ 4.83mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - IRF1010ESTRLPBF

InfineonのHEXFET®パワーMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれ、「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

高度なプロセス技術

超低オン抵抗、高速スイッチング

鉛未使用、RoHS準拠

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 84 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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