Name: Taiwan Semiconductor MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPDFN56
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 216-9708
Price: 140.80 JPY
Availability: OutOfStock

仕様

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Taiwan Semiconductor
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	28A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	PDFN56
	シリーズ	TSM025
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	28mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	56W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	18nC
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	1.1mm
	規格 / 承認	IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC
	長さ	6.1mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Taiwan Semiconductor
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 28A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 PDFN56
	シリーズ TSM025
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 28mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 56W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 1.1mm
	規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC
	長さ 6.1mm
	自動車規格なし

Datasheet-TSM280NB06LCR

Taiwan Semiconductor のシングル N チャネルパワー MOSFET トランジスタは、「酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子に流れる電流の制御です。

低 RDS （ ON ）で、導電損失を最小限に抑えます低ゲート電荷量で高速電力スイッチングを実現します 100 % UIS 及び Rg テスト済み

Taiwan Semiconductor MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPDFN56

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