Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 27 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK

RS品番:: 217-2537
メーカー型番:: IPL60R125P7AUMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 27 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK

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個	単価	購入単位毎合計*
3000 - 3000	￥190.622	￥571,866
6000 - 27000	￥187.819	￥563,457
30000 - 42000	￥185.016	￥555,048
45000 - 57000	￥182.212	￥546,636
60000 +	￥179.409	￥538,227

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RS品番:: 217-2537
メーカー型番:: IPL60R125P7AUMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	27A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	シリーズ	IPL
	パッケージ型式	ThinPAK
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	125mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	36nC
	動作温度 Min	-40°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	111W
	動作温度 Max	150°C
	長さ	8.8mm
	規格 / 承認	No
	幅	8.8 mm
	高さ	1.1mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 27A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	シリーズ IPL
	パッケージ型式 ThinPAK
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 125mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC
	動作温度 Min -40°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 111W
	動作温度 Max 150°C
	長さ 8.8mm
	規格 / 承認 No
	幅 8.8 mm
	高さ 1.1mm
	自動車規格なし

Datasheet - IPL60R125P7AUMA1

Infineon 600 V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET は、 600 V CoolMOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率が求められるニーズと、設計プロセスにおける使いやすさのバランスを維持しています。CoolMOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の R onxA と本質的に低いゲート電荷（ Q G ）により、高効率を実現しています。

のため、ハードスイッチング及びソフトスイッチング（ PFC 及び LLC ）に最適です優れた整流耐久性

スイッチング損失と導電損失を大幅に低減

> すべての製品で優れた ESD 耐性： 2 kV （ HBM

より優れた RDS （ on ） / パッケージ製品を、が実現する競合製品よりもお勧めします

低 RDS （ on ） * A （ below1 Ohm * mm ² ）

完全修飾JEDEC （産業用途向け