Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 27 A, 125 mΩ, 36 nC, 5ピン, パッケージ:ThinPAK

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RS品番:
217-2537
メーカー型番:
IPL60R125P7AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

27A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

ThinPAK

シリーズ

IPL

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

111W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

900mV

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

長さ

8.8mm

規格 / 承認

No

幅

8.8mm

自動車規格

なし

Infineon IPLシリーズMOSFET、ドレインソース電圧600V、連続ドレイン電流27A - IPL60R125P7AUMA1


このMOSFETは、表面実装電力変換および制御用途向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。Nタイプチャンネルでエンハンスメントモードで動作し、高い電圧処理と大きな連続電流が必要な用途向けに設計されています。このデバイスは、凍結下まで高温で動作する熱環境に適しています。

特長:


• 600V定格により、コンパクトな回路で高電圧スイッチングが可能
• 27Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷駆動をサポート
• 0.125Ω RDS(on)により、負荷時の伝導損失を最小限に抑制
• 許容電力 111W により、高い熱負荷処理能力を確保
• 36nCゲート充電により、スイッチング速度とドライブ要件をバランスアップ

用途


• 産業用システムの高電圧DC-DCコンバータに最適
• 持続電流を必要とするモーター駆動フロントエンドに最適
• 電源の力率補正段階に使用可能
• ソリッドステートリレーおよび電子スイッチングモジュールと併用
• 150°Cまでの高温電源アセンブリに最適

どのようなゲートドライブを考慮すべきですか?


このゲートには、最大20 Vのゲートソース電圧を維持しながら、期待されるスイッチング性能を実現するために、標準的な36 nCのゲート電荷を供給できるドライブが必要です。

サーマル設計は、損失をどのように考慮すべきですか?


サーマルレイアウトは、111Wの最大消費電力に対応し、適切な基板銅面積またはサーマルビーとヒートシンクを使用して、ジャンクション温度を定格限界内に維持する必要があります。

どのようなパッケージと取り付け方法を採用していますか?


5ピンのThinPAK表面実装パッケージで提供され、低インダクタンス接続とコンパクトな基板配置を実現します。

安全な動作温度制限は何ですか?


このデバイスは、-40°C~150°Cの幅広い温度範囲で動作し、コールドスタート環境と高温環境の両方で使用できます。

ドレインで許容される電圧および電流ストレスはどのようなものですか?


ドレインは最大600 V、最大27 Aの連続電流にさらされることができ、RDS(on)と消費電力は指定された値内に保たれます。

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