Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK
- RS品番:
- 222-4915
- メーカー型番:
- IPL60R185P7AUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥169.965 | ￥509,895 |
| 6000 - 27000 | ￥168.773 | ￥506,319 |
| 30000 - 42000 | ￥167.59 | ￥502,770 |
| 45000 - 57000 | ￥166.399 | ￥499,197 |
| 60000 + | ￥165.217 | ￥495,651 |
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- RS品番:
- 222-4915
- メーカー型番:
- IPL60R185P7AUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 19A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | ThinPAK | |
| シリーズ | IPL60R | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 185mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 8.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 幅 | 8.1 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 19A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 ThinPAK | ||
シリーズ IPL60R | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 185mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 8.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.1mm | ||
幅 8.1 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 600 V CoolMOSTM P7は、600 V CoolMOSTM P6シリーズの後継製品です。高効率化と使いやすさを両立させた設計を続けています。CoolMOSTM第7世代プラットフォームのクラス最高のR onxAと本質的に低いゲート充電(Q G)により、高い効率を実現します。
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ESD耐久性: ≥ 2 kV (HBMクラス2)
ゲート抵抗 RG を内蔵
高耐久性のボディダイオード
スルーホールと表面実装パッケージの幅広い製品群
標準仕様と産業仕様の製品を用意
ESD耐久性: ≥ 2 kV (HBMクラス2)
ゲート抵抗 RG を内蔵
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