Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 37 A, 80 mΩ, 51 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 217-2558
- メーカー型番:
- IPP60R080P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示50個小計, 50のチューブ入り：*
￥29,011
(税抜)
￥31,912
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 100 は 2026年10月07日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥580.22 | ￥29,011 |
| 250 - 450 | ￥567.40 | ￥28,370 |
| 500 - 1200 | ￥537.96 | ￥26,898 |
| 1250 - 2450 | ￥522.60 | ￥26,130 |
| 2500 + | ￥507.30 | ￥25,365 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 217-2558
- メーカー型番:
- IPP60R080P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 37A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 80mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 最大許容損失Pd | 129W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4.57mm | |
| 高さ | 29.95mm | |
| 長さ | 10.36mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 37A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 80mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 51nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
最大許容損失Pd 129W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4.57mm | ||
高さ 29.95mm | ||
長さ 10.36mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOS P7シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流37A - IPP60R080P7XKSA1
このMOSFETは、スルーホール実装と強化チャンネル動作を必要とする電力用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。広い動作温度範囲で大きな連続ドレイン電流と高電圧処理を必要とする回路向けに設計されています。
特長：
• 600V ドレイン容量により、高電圧スイッチング用途に対応
• 37Aの連続ドレイン電流により、高出力負荷処理をサポート
• 80mΩ Rds(on)により導通損失を低減し、効率を向上
• 129Wの最大消費電力により、持続的な電力処理を実現
• 51nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作をサポート
• 20Vゲート定格により、堅牢なゲートドライブ電圧に耐える
• 37Aの連続ドレイン電流により、高出力負荷処理をサポート
• 80mΩ Rds(on)により導通損失を低減し、効率を向上
• 129Wの最大消費電力により、持続的な電力処理を実現
• 51nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作をサポート
• 20Vゲート定格により、堅牢なゲートドライブ電圧に耐える
用途
• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 大電流が求められるモータードライブの変換段に最適
• 産業用制御システムのスルーホール基板と併用
• スイッチモード電力変換設計に使用可能
• 幅広い温度耐久性が求められる用途に最適
• 大電流が求められるモータードライブの変換段に最適
• 産業用制御システムのスルーホール基板と併用
• スイッチモード電力変換設計に使用可能
• 幅広い温度耐久性が求められる用途に最適
このデバイスは、どのような過酷な温度条件で動作できますか?
定格動作温度範囲は-55°C～150°Cです。
どのようなパッケージと実装方式を採用していますか？
このデバイスは、スルーホール取り付け用のTO-220パッケージで提供されます。
デバイスチャンネルタイプと動作モードは何ですか?
従来のハイサイドスイッチングまたはローサイドスイッチングに、エンハンスメントモードでNタイプチャンネルを使用します。
このデバイスの順方向電圧は何で、回路にどのような影響を与えますか?
順方向電圧は0.9Vで、回路設計における順方向伝導時の伝導降下に影響します。
関連ページ
- Infineon MOSFET 600 V 80 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 500 V 80 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 600 V 90 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 600 V 65 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 600 V 80 mΩ 4ピン, パッケージ：TO-247
- Infineon MOSFET 650 V 99 mΩ 4ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 600 V 37 mΩ 3ピン, パッケージ：PG-TO220-3
- Infineon MOSFET 125 mΩ パッケージ：TO-220