Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 70 A, 37 mΩ, 79 nC, 3ピン, パッケージ:PG-TO220-3

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RS品番:
349-001
メーカー型番:
IPP60R037CM8XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

70A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPP

パッケージ型式

PG-TO220-3

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

37mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

79nC

順方向電圧 Vf

900mV

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

390W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC

COO(原産国):
MY

インフィニオンIPPシリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 600V、連続ドレイン電流 70A - IPP60R037CM8XKSA1


このMOSFETは、要求の厳しい電力変換環境向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、スルーホールPG-TO220-3パッケージで提供されるため、熱管理と信頼性の高いスイッチングが求められる堅牢な基板実装用途に適しています。

特長:


• 定格ドレイン電圧 600V により、高電圧スイッチングに対応
• 連続ドレイン電流 70A により、大電流に対応
• 37mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 許容電力 390W により、連続高出力用途に対応
• ゲート電荷 79nC により、予測可能なスイッチング動作を実現

用途


• 電源およびコンバータ段に適合
• 産業用モータ駆動回路に最適
• 高電圧インバータアセンブリで使用
• 大電流スイッチング電源に使用可能

デバイスを保護するため、どのようなゲート電圧制限を守る必要がありますか?


ゲート-ソース間定格電圧は最大 30V

損傷を防ぐため、Vgsをこの範囲内に保つゲート駆動回路と保護機能を設計に組み込む必要があります。

このデバイスは、動作時の極端な周囲温度にどのように対応しますか?


-55~150°C で動作する仕様で、適切な熱設計により、コールドスタート条件や高温の筐体内で使用できます。

パッケージと実装方法に関して、熱性能上どのような点を考慮する必要がありますか?


PG-TO220-3スルーホール形状により、ヒートシンクの直接取り付けとスルーホールはんだ付けが容易で、堅牢な熱伝導と機械的安定性を確保します。

このデバイスのチャンネル導通モードはどのような仕様ですか?


エンハンスメントモードNチャンネルデバイスで、導通させるにはソースに対して正のゲート駆動電圧が必要です。

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