Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 70 A, 37 mΩ, 79 nC, 3ピン, パッケージ:PG-TO220-3
- RS品番:
- 349-001
- メーカー型番:
- IPP60R037CM8XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示2個小計, 2パック:*
¥2,990
(税抜)
¥3,289
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 374 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | ¥1,495.00 | ¥2,990 |
| 20 - 198 | ¥1,345.00 | ¥2,690 |
| 200 + | ¥1,241.00 | ¥2,482 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 349-001
- メーカー型番:
- IPP60R037CM8XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 70A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | IPP | |
| パッケージ型式 | PG-TO220-3 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 37mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 79nC | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 390W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 70A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ IPP | ||
パッケージ型式 PG-TO220-3 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 37mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 79nC | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 390W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 JEDEC | ||
- COO(原産国):
- MY
インフィニオンIPPシリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 600V、連続ドレイン電流 70A - IPP60R037CM8XKSA1
このMOSFETは、要求の厳しい電力変換環境向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、スルーホールPG-TO220-3パッケージで提供されるため、熱管理と信頼性の高いスイッチングが求められる堅牢な基板実装用途に適しています。
特長:
• 定格ドレイン電圧 600V により、高電圧スイッチングに対応
• 連続ドレイン電流 70A により、大電流に対応
• 37mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 許容電力 390W により、連続高出力用途に対応
• ゲート電荷 79nC により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 連続ドレイン電流 70A により、大電流に対応
• 37mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 許容電力 390W により、連続高出力用途に対応
• ゲート電荷 79nC により、予測可能なスイッチング動作を実現
用途
• 電源およびコンバータ段に適合
• 産業用モータ駆動回路に最適
• 高電圧インバータアセンブリで使用
• 大電流スイッチング電源に使用可能
• 産業用モータ駆動回路に最適
• 高電圧インバータアセンブリで使用
• 大電流スイッチング電源に使用可能
デバイスを保護するため、どのようなゲート電圧制限を守る必要がありますか?
ゲート-ソース間定格電圧は最大 30V
損傷を防ぐため、Vgsをこの範囲内に保つゲート駆動回路と保護機能を設計に組み込む必要があります。
このデバイスは、動作時の極端な周囲温度にどのように対応しますか?
-55~150°C で動作する仕様で、適切な熱設計により、コールドスタート条件や高温の筐体内で使用できます。
パッケージと実装方法に関して、熱性能上どのような点を考慮する必要がありますか?
PG-TO220-3スルーホール形状により、ヒートシンクの直接取り付けとスルーホールはんだ付けが容易で、堅牢な熱伝導と機械的安定性を確保します。
このデバイスのチャンネル導通モードはどのような仕様ですか?
エンハンスメントモードNチャンネルデバイスで、導通させるにはソースに対して正のゲート駆動電圧が必要です。
関連ページ
- Infineon MOSFET 600 V 37 mΩ 3ピン, パッケージ:PG-TO-247
- Infineon MOSFET 600 V 37 mΩ 4ピン, パッケージ:PG-TO247-4
- Infineon パワー トランジスタ 600 V 37 mΩ 8ピン, パッケージ:PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 600 V 37 mΩ 22ピン, パッケージ:PG-HDSOP-22
- Infineon MOSFET 650 V 37 mΩ 10ピン, パッケージ:PG-HDSOP-10
- Infineon MOSFET 650 V 99 mΩ 4ピン, パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 600 V 16 mΩ 3ピン, パッケージ:PG-TO220-3
- Infineon PG-TO-247 IGBT 79 A, 3ピン
